MT29F1T08CMCBBJ4-37:B TR是美光科技生产的一款1Tb容量并行接口NAND闪存芯片。该器件采用128G x 8位的存储结构，提供高达128GB的存储空间，并支持267MHz的时钟频率，能够实现高速的数据传输，满足对带宽要求严格的应用需求。
芯片工作在2.7V至3.6V电压范围内，采用132-VBGA表面贴装封装，确保在0°C至70°C的商业温度环境下稳定运行。其非易失性闪存特性保障了数据的持久保存。此型号为已停产产品，适用于既有设计维护或特定项目，其并行接口和大容量特性使其非常适合用于企业存储、工业控制及高性能嵌入式系统等领域。
- 型号:MT29F1T08CMCBBJ4-37:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1TBIT PAR 132VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Tb
- 存储器组织:128G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:267 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
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