M29F200FB55N3F2 TR是美光科技生产的一款2Mb并行NOR闪存存储器，采用48-TSOP封装。该芯片提供256K x 8位或128K x 16位的存储组织方式，具备55ns的快速访问时间和写周期时间，支持高速代码读取与执行。
其工作电压范围为4.5V至5.5V，兼容工业标准5V逻辑电平，并且能在-40°C至125°C的宽温范围内稳定工作，满足工业级与汽车级应用对可靠性的严苛要求。作为一款非易失性存储器，它适用于存储固件、引导程序及关键配置参数。
- 型号:M29F200FB55N3F2 TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP I
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2MBIT PARALLEL 48TSOP I
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:2Mb
- 存储器组织:256K x 8，128K x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:55ns
- 访问时间:55 ns
- 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
- 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP I
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