MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E 是美光科技生产的一款1Gb（128M x 8位）NAND闪存芯片，采用并行接口。该器件基于非易失性闪存技术，确保数据在断电后持久保存，其1.7V至1.95V的宽电压供电范围优化了功耗表现，适用于对能效有要求的应用。
芯片采用63-VFBGA表面贴装封装，支持-40°C至85°C的工业级工作温度范围，保证了在恶劣环境下的可靠运行。其核心卖点在于提供了1Gb的可靠存储容量，结合并行数据接口，为嵌入式系统提供了一种直接、高效的存储扩展方案。
- 型号:MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:已验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:128M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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