MT41K512M16TNA-125 M:E是美光科技生产的一款8Gb容量DDR3L SDRAM芯片，采用512M x 16位的并行架构。该器件核心优势在于实现了高性能与低功耗的结合，其工作电压低至1.283V~1.45V，显著优于标准DDR3产品，同时支持高达800MHz的时钟频率，提供1600 MT/s的数据传输速率。
该芯片采用96-TFBGA封装，适用于表面贴装，工作温度范围为0°C至95°C（TC），具备良好的环境适应性。其13.5ns的访问时间与并联接口设计，能够有效满足嵌入式系统、网络设备及工业控制应用中对高速数据读写与缓存的需求。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态。
- 型号:MT41K512M16TNA-125 M:E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:96-FBGA（10x14）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:512M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.5 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:96-TFBGA
- 供应商器件封装:96-FBGA（10x14）
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