NAND01GW3B2CZA6E是美光科技生产的一款1Gb（128M x 8）并行接口NAND闪存芯片，采用63-TFBGA封装。该器件基于非易失性闪存技术，提供可靠的数据存储解决方案，其核心卖点包括25ns的快速页写入与访问时间，以及支持2.7V至3.6V的宽电压供电范围。
该芯片设计用于表面贴装，工作温度范围覆盖-40°C至85°C，满足工业级应用的环境要求。其并联接口便于与主机控制器连接，适用于需要中等存储容量和稳定性能的嵌入式系统，为固件、配置数据及用户信息提供经济高效的存储支持。
- 型号:NAND01GW3B2CZA6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9.5x12）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:128M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:25ns
- 访问时间:25 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-TFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9.5x12）
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