MT29F128G08CBCCBH6-6R:C TR是美光科技推出的一款128Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和152-VBGA封装。其核心架构基于MLC NAND技术，组织为16G x 8位，提供了高密度的数据存储解决方案。
该芯片支持高达166MHz的时钟频率，确保了高速的数据传输能力。其工作电压范围为2.7V至3.6V，工作温度覆盖0°C至70°C，符合广泛的商业及工业应用环境要求。这些参数共同构成了其大容量、高速度与良好环境适应性的核心价值，适用于需要可靠非易失性存储的各类电子系统。
- 型号:MT29F128G08CBCCBH6-6R:C TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:152-VBGA（14x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:128Gb
- 存储器组织:16G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:166 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:152-VBGA
- 供应商器件封装:152-VBGA（14x18）
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