NAND512W3A2SZA6F TR是美光科技推出的一款512Mb（64M x 8）并行接口NAND闪存，采用63-TFBGA封装。该器件基于成熟的NAND闪存技术，提供非易失性数据存储解决方案，其核心特性包括50ns的快速访问与写周期时间，以及2.7V至3.6V的宽电压供电范围。
该芯片设计用于在-40°C至85°C的工业级温度范围内可靠工作，并集成了增强数据完整性的内部管理功能。其标准的异步并行接口便于与各类微处理器或控制器连接，适用于需要中等容量、可靠存储且对数据吞吐速率有要求的嵌入式应用。
- 型号:NAND512W3A2SZA6F TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 512MBIT PAR 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:50ns
- 访问时间:50 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-TFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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