MT29F1G08ABADAH4-ITX:D TR是一款由美光科技制造的1Gb容量NAND闪存芯片。它采用8位并行接口,提供直接、高效的数据传输路径,工作电压为2.7V-3.6V,并支持-40°C至85°C的工业级工作温度范围,确保在宽温环境下的稳定性和耐用性。
该芯片采用63-VFBGA小型化封装,以卷带形式提供,适用于高密度表面贴装生产。其核心特性在于通过成熟的并行NAND架构,为需要中高容量、可靠非易失存储且对接口简单性有要求的嵌入式系统提供了一个经过市场验证的解决方案。
- 型号:MT29F1G08ABADAH4-ITX:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA(9x11)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:128M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA(9x11)
- 想获取MT29F1G08ABADAH4-ITX:D TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料