MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR

MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR是美光科技推出的一款64Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和MLC技术。该器件在2.7V至3.6V的宽电压范围内工作，时钟频率支持100MHz，能够提供高效的数据吞吐性能，满足对存储速度和容量有要求的应用。

芯片采用48-TSOP表面贴装封装，工作温度范围为0°C至70°C，确保了在商业及工业环境下的稳定性和可靠性。其8G x 8位的组织结构和非易失特性，使其成为嵌入式系统、网络设备和工业控制等领域中，用于代码存储和数据记录的理想大容量存储解决方案。

• 制造商产品型号：MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 64GBIT PAR 48TSOP I
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：64Gb（8G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：100MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
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