MT47H256M8EB-25E XIT:C是美光科技生产的一款2Gb容量DDR2 SDRAM芯片，采用256M x 8位的组织架构。该器件基于并联接口，在400MHz的时钟频率下运行，通过DDR技术实现高效数据传输，其核心访问时间为400ps，提供了快速的数据读写能力。
该芯片工作电压为1.7V至1.9V，采用60-TFBGA表面贴装封装，并支持-40°C至95°C（TC）的宽工作温度范围，确保了其在苛刻环境下的稳定性和可靠性。这些特性使其适用于需要中高速、大容量易失性存储的各类嵌入式与工业应用场景。
- 型号:MT47H256M8EB-25E XIT:C
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（9x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（9x11.5）
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