MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR:E是美光科技推出的一款512Gb容量、采用MLC NAND技术的并行接口闪存芯片。该器件基于非易失性存储技术，提供64G x 8的组织结构，通过267MHz的高速时钟和并联接口实现优异的数据吞吐性能。
其工作电压为2.7V至3.6V，采用132-VBGA表面贴装封装，并支持-40°C至85°C的宽温工作范围，确保了在严苛工业环境下的高可靠性。这款有源状态的存储器产品以托盘形式供应，主要面向需要大容量、高速度及稳定数据存储的嵌入式与企业级应用场景。
- 型号:MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR:E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NAND（MLC）
- 存储容量:512Gb
- 存储器组织:64G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:267 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
- 想获取MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR:E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
