MT41K1G8SN-125:A TR

MT41K1G8SN-125:A TR是美光科技推出的一款8Gb容量、DDR3L标准的同步动态随机存取存储器（SDRAM）。该器件采用1G x 8位的内部组织架构和并行接口，核心工作电压低至1.35V（范围1.283V~1.45V），在提供高性能的同时实现了显著的功耗优化。

其核心时钟频率为800MHz，支持高达1600MT/s的数据传输速率，访问时间为13.75ns，能够满足对数据带宽和响应速度有较高要求的应用。器件采用78-TFBGA表面贴装封装，支持卷带包装，适用于自动化生产，工作温度范围为0°C至95°C（TC），确保了在苛刻环境下的稳定性。这款存储器为各类嵌入式系统、网络设备和消费电子产品提供了可靠的高速数据缓冲解决方案。

• 型号:MT41K1G8SN-125:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（9x13.2）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:1G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.75 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（9x13.2）
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