MT29F4T08EUHBFM4-T:B是美光科技生产的一款4Tb(512GB)大容量并行接口NAND闪存芯片。它采用先进的3D TLC NAND技术,提供了高存储密度和可靠的非易失性数据存储解决方案。
该芯片核心参数包括1.7V至1.95V的宽工作电压范围,支持在0°C至70°C的环境温度下稳定运行。其并联接口架构旨在实现高速数据传输,满足企业存储、数据中心等对海量数据高速读写需求的应用场景。
- 制造商产品型号:MT29F4T08EUHBFM4-T:B
- 制造商:Micron Technology(美光科技)
- 描述:IC FLASH 4TB PARALLEL
- 产品系列:存储器
- 包装:散装
- 系列:-
- 零件状态:有源
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NAND(TLC)
- 存储容量:4Tb(512G x 8)
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间-字,页:-
- 访问时间:-
- 电压-供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
- 安装类型:-
- 产品封装:-
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