MT47H256M8EB-187E:C是美光科技生产的一款2Gb容量DDR2 SDRAM芯片，采用256M x 8的存储结构。该器件基于并联接口，核心工作频率为533MHz，实现1066MT/s的数据传输速率，为系统提供了高带宽的数据通道。
其关键性能参数包括15ns的写周期时间和350ps的访问时间，确保了快速的数据响应能力。芯片采用1.8V供电，工作温度范围为0°C至85°C，并以60-TFBGA封装形式提供，适用于表面贴装工艺。这些特性使其适用于对内存速度和容量有明确要求的嵌入式及通信设备场景。
- 型号:MT47H256M8EB-187E:C
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（9x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PAR 60FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:533 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:350 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（9x11.5）
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