MT29F64G08CBABAWP:B TR是美光科技生产的一款64Gb容量NAND闪存芯片，采用8位并行接口。该器件基于非易失性存储技术，确保数据在断电后得以保存，其2.7V至3.6V的工作电压范围提供了良好的电源兼容性。
芯片采用48-TSOP表面贴装封装，适用于标准回流焊工艺，便于集成。其核心优势在于提供了一种高密度、通过并行总线进行快速数据存取的存储解决方案，主要面向需要嵌入式大容量存储的各类电子设备。
- 型号:MT29F64G08CBABAWP:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP I
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 64GBIT PAR 48TSOP I
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:64Gb
- 存储器组织:8G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP I
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