MT41K1G8RKB-107:N是美光科技生产的一款8Gb容量DDR3L SDRAM芯片。该器件采用1G x 8位组织架构，基于低电压DDR3L技术，核心工作电压范围在1.283V至1.45V之间，在提供高性能的同时实现了显著的功耗降低。
其运行时钟频率为933MHz，支持高达1866 MT/s的数据传输速率，访问时间为20ns，能够满足高带宽数据存取的需求。芯片采用78-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至95°C（TC），适用于对空间、功耗和可靠性有严格要求的各类嵌入式及网络通信应用。
- 型号:MT41K1G8RKB-107:N
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（8x10.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:1G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:933 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（8x10.5）
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