MT46V128M4BN-6:D

MT46V128M4BN-6:D是美光科技生产的一款512Mb容量DDR SDRAM存储器芯片，采用128M x 4的并行架构。该器件基于DDR技术，在167MHz的时钟频率下可实现高效的双沿数据传输，其700ps的访问时间与15ns的写周期时间保证了快速的数据响应与处理能力。

芯片采用2.5V（2.3V~2.7V）标准电压供电，工作温度范围为0°C至70°C，并通过60-TFBGA表面贴装封装提供紧凑的物理尺寸。其并联接口设计适用于需要直接连接处理器、以实现中等带宽数据交换的嵌入式系统与网络通信设备。

• 制造商产品型号：MT46V128M4BN-6:D
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR
• 存储容量：512Mb（128M x 4）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：167MHz
• 写周期时间-字，页：15ns
• 访问时间：700ps
• 电压-供电：2.3V ~ 2.7V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：60-TFBGA
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