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MICRON
MT41K128M16JT-125:K TR的图片

MT41K128M16JT-125:K TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
原厂封装:封装:96-FBGA(8x14)
优势价格,MT41K128M16JT-125:K TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT41K128M16JT-125:K TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT41K128M16JT-125:K TR是美光科技推出的一款2Gb容量、采用DDR3L标准的并行接口SDRAM。该器件组织架构为128M x 16位,封装于96-TFBGA中,以卷带形式供货。

其核心优势在于低电压与高性能的结合。工作电压低至1.283V~1.45V,在降低系统整体功耗的同时,支持高达800MHz的时钟频率,实现1600MT/s的数据传输速率。13.75ns的访问时间确保了快速的数据响应能力。

此外,该芯片支持0°C至95°C的宽工作温度范围,并采用表面贴装设计,使其能够稳定应用于对可靠性要求严苛的工业与网络通信领域,是嵌入式系统内存扩展的理想选择。

  • 型号:MT41K128M16JT-125:K TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:96-FBGA(8x14)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR3L
  • 存储容量:2Gb
  • 存储器组织:128M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:13.75 ns
  • 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:96-TFBGA
  • 供应商器件封装:96-FBGA(8x14)
  • 想获取MT41K128M16JT-125:K TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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