MT41J512M4HX-125:D是美光科技生产的一款2Gb容量DDR3 SDRAM芯片，采用512M x 4的存储组织架构。该器件基于并联接口，时钟频率达800MHz，可实现高达1600MT/s的数据传输速率，其13.75ns的快速访问时间显著提升了系统响应性能。
芯片工作在1.5V典型电压下，支持宽泛的1.425V至1.575V供电范围，并能在0°C至95°C（TC）的工业级温度范围内稳定运行。其78-TFBGA表面贴装封装优化了空间占用，适用于对板卡面积和信号完整性有严格要求的高密度设计。
- 型号:MT41J512M4HX-125:D
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（9x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:512M x 4
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.75 ns
- 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（9x11.5）
- 想获取MT41J512M4HX-125:D的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
