EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR

EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR是美光科技推出的一款1Gb容量移动LPDDR2 SDRAM芯片，采用64M x 16的存储结构。该器件基于低功耗双倍数据速率2技术，核心时钟频率达533MHz，通过并联接口提供高速数据访问能力，旨在满足移动及嵌入式应用对内存带宽和响应速度的需求。

其核心优势在于出色的能效与环境适应性。芯片支持1.14V至1.95V的宽电压供电，便于系统进行动态功耗管理以延长电池寿命。同时，它具备-40°C至105°C的扩展工作温度范围，并采用134-VFBGA小型化封装，确保了在空间受限及条件严苛的工业、汽车电子等场景下的高可靠性与易用性。

• 制造商产品型号：EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - 移动 LPDDR2
• 存储容量：1Gb（64M x 16）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：533MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.14V ~ 1.95V
• 工作温度：-40°C ~ 105°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：134-VFBGA
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