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MICRON
MT41J1G4THD-15E:D的图片

MT41J1G4THD-15E:D

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
原厂封装:封装:78-FBGA(9x11.5)
优势价格,MT41J1G4THD-15E:D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT41J1G4THD-15E:D的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT41J1G4THD-15E:D是美光科技生产的一款4Gb容量DDR3 SDRAM芯片,采用1G x 4位架构和并联接口。该器件基于DDR3技术,在667MHz时钟频率下可实现1333 MT/s的数据传输速率,提供了较高的内存带宽,适用于对数据吞吐量有要求的计算环境。

其工作电压典型值为1.5V,范围在1.425V至1.575V,有助于降低系统整体功耗。芯片采用78-TFBGA表面贴装封装,支持0°C至95°C的宽工作温度范围(壳温),确保了在多种应用环境下的可靠性。这些参数使其成为网络设备、台式机、服务器以及嵌入式系统等应用中,用于实现高速数据缓存和处理的可行存储解决方案。

  • 型号:MT41J1G4THD-15E:D
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:78-FBGA(9x11.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR3
  • 存储容量:4Gb
  • 存储器组织:1G x 4
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:667 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:78-TFBGA
  • 供应商器件封装:78-FBGA(9x11.5)
  • 想获取MT41J1G4THD-15E:D的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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