MT47H512M4EB-3:C是美光科技生产的一款2Gb容量DDR2 SDRAM芯片，采用512M x 4的存储单元组织架构。该器件基于并联接口，时钟频率为333MHz，利用DDR技术实现高达667MT/s的数据传输速率，旨在满足中高性能系统的内存带宽需求。
其关键性能指标包括450ps的快速访问时间和15ns的写周期时间，确保了高效的数据读写操作。器件工作在1.7V至1.9V的低电压范围，并采用60-TFBGA表面贴装封装，支持0°C至85°C的工作温度，适用于对功耗、空间和可靠性有要求的嵌入式及工业应用环境。
- 型号:MT47H512M4EB-3:C
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（9x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:512M x 4
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:333 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:450 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（9x11.5）
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