MT46V32M16BN-75:C是美光科技生产的一款512Mbit DDR SDRAM存储器，采用32M x 16位的组织架构。该器件基于DDR技术，在133MHz的时钟频率下运行，通过在每个时钟周期的上升沿和下降沿传输数据，有效提升了数据传输速率。
其关键参数包括750ps的快速访问时间和15ns的写周期时间，确保了低延迟和高带宽的数据存取能力。芯片工作在2.3V至2.7V的电压范围内，采用60-TFBGA表面贴装封装，适用于0°C至70°C的商业温度环境，主要面向需要并行接口和中等存储密度的嵌入式系统设计。
- 型号:MT46V32M16BN-75:C
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（10x12.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:32M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:133 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:750 ps
- 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
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