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MICRON
MT41J256M4JP-15E:G的图片

MT41J256M4JP-15E:G

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
原厂封装:封装:78-FBGA(8x11.5)
优势价格,MT41J256M4JP-15E:G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT41J256M4JP-15E:G的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT41J256M4JP-15E:G 是美光科技推出的一款 1Gb 容量 DDR3 SDRAM 存储器,采用 256M x 4 位的内部组织架构。该器件基于 1.5V 供电电压,支持高达 667MHz 的时钟频率,实现 1333 MT/s 的数据传输速率,能够有效满足中高端嵌入式系统对内存带宽的需求。

其核心优势在于采用了成熟的 DDR3 技术,提供高速并联接口与可编程的时序参数,增强了系统设计的灵活性。芯片采用 78-TFBGA 紧凑型封装,支持 0°C 至 95°C 的宽工作温度范围,确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性,适用于网络通信、工业控制及数据存储等对性能与耐用性有要求的领域。

  • 型号:MT41J256M4JP-15E:G
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:78-FBGA(8x11.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR3
  • 存储容量:1Gb
  • 存储器组织:256M x 4
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:667 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:78-TFBGA
  • 供应商器件封装:78-FBGA(8x11.5)
  • 想获取MT41J256M4JP-15E:G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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