MT46V32M16CY-5B L IT:J 是美光科技生产的一款512Mb容量DDR SDRAM芯片，采用32M x 16位的组织架构。该器件基于DDR技术，在200MHz的时钟频率下可实现400MT/s的数据传输速率，其700ps的访问时间和15ns的写周期时间保证了高速数据读写的响应能力。
芯片采用标准的2.5V~2.7V供电，并联接口提供了直接的高带宽数据通道。其设计支持-40°C至85°C的工业级工作温度范围，并采用60-TFBGA表面贴装封装，适用于对环境适应性和PCB空间有要求的嵌入式应用。该产品为早期及特定延续性设计提供了可靠的易失性存储解决方案。
- 型号:MT46V32M16CY-5B L IT:J
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（8x12.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:32M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:200 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:700 ps
- 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（8x12.5）
- 想获取MT46V32M16CY-5B L IT:J的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
