MT41K1G4THV-15E:M是美光科技推出的一款4Gb容量DDR3 SDRAM存储器，采用并联接口和78-TFBGA表面贴装封装。其核心架构为1G x 4组织，在667MHz的时钟频率下可实现高达1333MT/s的数据传输速率，访问时间为13.5ns，能够提供高效、低延迟的数据读写性能。
该器件工作电压范围为1.283V至1.45V，支持标准的1.35V低电压操作，有助于优化系统能效。其设计工作温度范围为0°C至95°C（TC），确保了在严苛环境下的稳定运行。这款DRAM主要面向对内存带宽和容量有特定要求的嵌入式系统与网络通信设备。
- 型号:MT41K1G4THV-15E:M
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（8x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:1G x 4
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:667 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.5 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（8x11.5）
- 想获取MT41K1G4THV-15E:M的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
