MT41J128M16JT-107G:K TR

MT41J128M16JT-107G:K TR是美光科技生产的一款2Gb容量DDR3 SDRAM芯片，采用128M x 16的并行架构。该器件核心优势在于其高数据传输速率，时钟频率达到933MHz，配合DDR技术可实现1866MT/s的有效数据速率，同时保持20ns的快速访问时间，为系统提供了出色的带宽和响应性能。

其工作电压范围为1.425V~1.575V，在保障高速运行的同时优化了功耗。器件采用96-TFBGA表面贴装封装，支持卷带包装，便于自动化生产。工业级的工作温度范围（0°C ~ 95°C TC）确保了其在严苛环境下的稳定性和可靠性，使其成为网络通信、工业控制及嵌入式系统等高性能应用场景的理想存储解决方案。

• 型号:MT41J128M16JT-107G:K TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:96-FBGA（8x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:128M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:96-TFBGA
• 供应商器件封装:96-FBGA（8x14）
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