MT29F128G08CBCBBH6-6R:B TR是美光科技生产的一款128Gb（16GB）容量、采用并联接口的NAND闪存芯片。该器件基于非易失性闪存技术，以16G x 8位的结构组织数据，为核心存储需求提供了高密度的解决方案。
其关键参数包括支持高达166MHz的时钟频率，这确保了高速的数据传输能力；工作电压范围为2.7V至3.6V，兼容性良好；采用152-VBGA表面贴装封装，适用于紧凑的PCB设计。这些特性使其能够满足对存储性能和物理尺寸有要求的各类嵌入式及工业应用。
- 型号:MT29F128G08CBCBBH6-6R:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:152-VBGA（14x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:128Gb
- 存储器组织:16G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:166 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:152-VBGA
- 供应商器件封装:152-VBGA（14x18）
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