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MICRON
MT40A512M8SA-062E AAT:F TR的图片

MT40A512M8SA-062E AAT:F TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
原厂封装:封装:78-FBGA(7.5x11)
优势价格,MT40A512M8SA-062E AAT:F TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT40A512M8SA-062E AAT:F TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT40A512M8SA-062E AAT:F TR是美光科技生产的一款4Gb容量DDR4 SDRAM芯片。该器件采用512M x 8的存储结构,通过并联接口实现高速数据通信,其核心优势在于高达1.6GHz的时钟频率,能够提供卓越的数据传输带宽,满足密集型数据处理需求。

该芯片在1.14V至1.26V的低电压下工作,实现了性能与功耗的良好平衡。其-40°C至105°C的宽工作温度范围与78-TFBGA表面贴装封装,使其具备出色的环境适应性和高集成度,非常适合嵌入到空间受限且运行条件严苛的系统中。

  • 型号:MT40A512M8SA-062E AAT:F TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:78-FBGA(7.5x11)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR4
  • 存储容量:4Gb
  • 存储器组织:512M x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:1.6 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:15ns
  • 访问时间:19 ns
  • 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
  • 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:78-TFBGA
  • 供应商器件封装:78-FBGA(7.5x11)
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