MT46V32M16BN-75 L:C TR是美光科技生产的一款512Mb容量DDR SDRAM芯片，采用32M x 16位的组织结构。该器件基于DDR（双倍数据速率）技术，在133MHz的时钟频率下可实现等效266MT/s的数据传输速率，提供较高的数据带宽以满足性能密集型应用的需求。
其关键特性包括750ps的快速访问时间、15ns的写周期时间以及2.5V（2.3V~2.7V）的工作电压，在保证性能的同时兼顾了功耗控制。芯片采用60-TFBGA封装和表面贴装形式，适用于空间紧凑的PCB设计。主要面向网络设备、工业控制系统、消费电子等需要可靠、并行高速存储的领域。
- 型号:MT46V32M16BN-75 L:C TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（10x12.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:32M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:133 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:750 ps
- 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
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