EDB4416BBBH-1DIT-F-R TR

EDB4416BBBH-1DIT-F-R TR 是美光科技推出的一款4Gb容量LPDDR2移动SDRAM，采用256M x 16的架构和并联接口。该器件核心优势在于其533MHz的时钟频率与低功耗特性相结合，工作电压范围宽达1.14V~1.95V，能有效满足高性能移动设备对速度与能效的双重需求。

该芯片采用134-WFBGA表面贴装封装，支持-40°C至85°C的工业级工作温度，确保了在恶劣环境下的稳定运行。其设计旨在为空间紧凑、电池供电的嵌入式系统提供高带宽、低延迟的易失性存储解决方案。

• 型号:EDB4416BBBH-1DIT-F-R TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:134-FBGA（10x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:256M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:134-WFBGA
• 供应商器件封装:134-FBGA（10x11.5）
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