MT29F2T08CUHBBM4-3R:B是美光科技推出的一款2Tb容量、采用并联接口的NAND闪存芯片。其核心卖点在于将高密度存储（256G x 8位组织）与333MHz的高时钟频率相结合，通过并行数据通路实现了优异的数据吞吐性能，适用于对带宽和容量有严苛要求的场景。
该器件工作电压为2.5V~3.6V，支持商业级温度范围（0°C ~ 70°C），提供了可靠的运行环境适应性。作为一款成熟的并行闪存解决方案，它为企业存储、数据中心及工业计算等领域提供了经过验证的大容量非易失性存储选项。
- 型号:MT29F2T08CUHBBM4-3R:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:-
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2TBIT PARALLEL 333MHZ
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:2Tb
- 存储器组织:256G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:333 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:-
- 供应商器件封装:-
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