MT40A512M8SA-062E AAT:F是美光科技生产的一款4Gb容量DDR4 SDRAM，采用78-TFBGA封装。该器件基于DDR4技术，提供高达1.6GHz的时钟频率（等效3200MT/s数据速率），实现了高带宽数据传输，同时其1.14V至1.26V的低工作电压范围有助于降低系统整体功耗。
其核心配置为512M字×8位，采用并联接口，访问时间为19ns，写周期时间为15ns，确保了快速的数据读写响应。该芯片支持宽温工作（-40°C至105°C结温），具备工业级可靠性，适用于表面贴装设计，满足严苛环境下的稳定运行需求。
- 型号:MT40A512M8SA-062E AAT:F
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（7.5x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR4
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:1.6 GHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:19 ns
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（7.5x11）
- 想获取MT40A512M8SA-062E AAT:F的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
