MT40A1G16KNR-062E:E TR

MT40A1G16KNR-062E:E TR是美光科技推出的一款16Gb容量DDR4 SDRAM芯片，采用1G x 16位组织结构的并联接口DRAM。该器件基于先进的DDR4技术，提供高达1.6GHz的时钟频率，实现每秒3200兆次传输的数据速率，能够显著提升系统的内存带宽和处理能力。

其工作电压范围为1.14V至1.26V，在提供高性能的同时实现了更低的功耗。器件采用96-TFBGA表面贴装封装，支持0°C至95°C（TC）的工作温度范围，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。其19ns的访问时间和15ns的写周期时间，为数据密集型应用提供了快速响应。

这款存储器主要面向需要高吞吐量和可靠数据存储的领域，是企业级计算、网络通信和高端嵌入式系统的理想内存解决方案。

• 型号:MT40A1G16KNR-062E:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:96-FBGA（7.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 16GBIT PARALLEL 96FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR4
• 存储容量:16Gb
• 存储器组织:1G x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.6 GHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:19 ns
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:96-TFBGA
• 供应商器件封装:96-FBGA（7.5x13.5）
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