NAND512W3A2DZA6E 是美光科技推出的一款512Mb（64M x 8）容量并行接口NAND闪存。该器件采用63-TFBGA封装，基于标准的异步并行接口，便于系统集成，其页编程和随机读取访问时间均为50ns，提供了良好的实时数据存取性能。
芯片工作电压范围为2.7V至3.6V，兼容广泛的3.3V逻辑系统，并支持-40°C至85°C的工业级工作温度，确保了在苛刻环境下的稳定运行。其核心卖点在于将中等存储容量、快速的并行访问接口与工业级的可靠性相结合，适用于对成本、性能和环境适应性有综合要求的嵌入式存储应用。
- 型号:NAND512W3A2DZA6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 512MBIT PAR 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:50ns
- 访问时间:50 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-TFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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