MT40A2G4WE-083E:B TR是美光科技生产的一款8Gb容量DDR4 SDRAM芯片。该器件采用2G x 4的并行架构，运行时钟频率可达1.2GHz，实现了高达2400 MT/s的数据传输速率，为系统提供了卓越的内存带宽性能。
其核心优势在于采用了先进的DDR4技术，工作电压低至1.2V典型值，显著优化了功耗表现。产品采用78-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围覆盖0°C至95°C（TC），确保了在各类严苛环境下的稳定运行与高可靠性，适用于对性能和能效有双重要求的应用。
- 型号:MT40A2G4WE-083E:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（8x12）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR4
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:2G x 4
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:1.2 GHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（8x12）
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