MT41K512M8RH-107:E是美光科技生产的一款4Gb容量DDR3L SDRAM存储器。该器件采用512M x 8的存储组织架构，通过并联接口提供高速数据访问，其核心时钟频率为933MHz，可实现高达1866 MT/s的数据传输速率，并具备20ns的快速访问时间。
该芯片的核心优势在于其低电压与低功耗设计，工作电压范围为1.283V至1.45V，显著优于标准DDR3器件，特别适合节能型应用。其采用78-TFBGA表面贴装封装，支持0°C至95°C（TC）的工业级工作温度范围，确保了在苛刻环境下的稳定运行。
- 型号:MT41K512M8RH-107:E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（9x10.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:933 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（9x10.5）
- 想获取MT41K512M8RH-107:E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
