MT49H32M18SJ-25E:B TR

MT49H32M18SJ-25E:B TR是美光科技生产的一款576Mb容量、并行接口的DRAM芯片。其核心架构为32M x 18位组织，采用144-TFBGA表面贴装封装，工作电压范围为1.7V至1.9V，工作温度可达95°C（TC），具备良好的环境适应性。

该器件的关键性能在于其400MHz的高时钟频率与15ns的快速访问时间，这共同保障了高速的数据传输与低延迟响应，适用于需要高带宽数据交换的应用。其并联接口和标准的DRAM控制信号使其易于集成，为设计提供了灵活性。

• 型号:MT49H32M18SJ-25E:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
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