MT40A256M16GE-075E AUT:B TR是美光科技生产的一款4Gbit容量DDR4 SDRAM存储器。该器件采用256M x 16的架构，通过并联接口提供高速数据访问，其时钟频率达到1.33GHz，可实现高达2666MT/s的数据传输速率，满足高带宽应用需求。
该芯片工作电压范围为1.14V~1.26V，在提升性能的同时优化了功耗。其宽工作温度范围（-40°C ~ 125°C TC）确保了在工业及汽车等恶劣环境下的稳定性。器件采用96-TFBGA表面贴装封装，支持自动化生产，适用于空间紧凑的高性能计算、网络设备和汽车电子等场景。
- 型号:MT40A256M16GE-075E AUT:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:96-FBGA（9x14）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR4
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:256M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:1.33 GHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
- 工作温度:-40°C ~ 125°C（TC）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:96-TFBGA
- 供应商器件封装:96-FBGA（9x14）
- 想获取MT40A256M16GE-075E AUT:B TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
