MT49H8M36BM-33 TR是美光科技推出的一款288Mb并行DRAM芯片，采用8M x 36的存储结构，提供高速数据访问能力。其核心特性包括300MHz时钟频率、20ns访问时间以及1.7V至1.9V的低电压工作范围，适合需要高带宽和低功耗的应用场景。
该器件采用144-TFBGA表面贴装封装，支持0°C至95°C的工业级工作温度，确保了在恶劣环境下的稳定运行。其并联接口设计简化了系统集成，适用于网络设备、工业控制系统等对内存性能要求较高的领域。
- 型号:MT49H8M36BM-33 TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:144-BGA（18.5x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:DRAM
- 存储容量:288Mb
- 存储器组织:8M x 36
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:300 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:144-TFBGA
- 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
- 想获取MT49H8M36BM-33 TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
