MT47H64M16NF-25E XIT:M

MT47H64M16NF-25E XIT:M是美光科技推出的一款1Gb容量DDR2 SDRAM芯片，采用64M x 16位架构。该器件基于先进的DRAM技术，工作时钟频率为400MHz，凭借DDR2的双倍数据速率特性，可实现高达800MT/s的数据传输速率，为系统提供高效的数据吞吐能力。

其核心参数表现出色，访问时间仅为400ps，写周期时间为15ns，确保了快速的数据读写响应。芯片工作在1.7V至1.9V的低电压范围内，有助于降低整体系统功耗。采用84-TFBGA表面贴装封装，并支持-40°C至95°C的宽工作温度范围，满足了工业级应用对可靠性和环境适应性的严苛要求。

这款并联接口的易失性存储器，适用于需要中等带宽、较大容量且对成本敏感的设计，是网络通信、嵌入式控制和工业计算等领域中广泛采用的成熟存储解决方案。

• 型号:MT47H64M16NF-25E XIT:M
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:84-FBGA（8x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:84-TFBGA
• 供应商器件封装:84-FBGA（8x12.5）
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