M28W640HCB70N6F TR

M28W640HCB70N6F TR是美光科技推出的一款64Mb（4M x 16位组织）并行NOR闪存芯片，采用48-TFSOP表面贴装封装。该器件基于NOR闪存技术，提供非易失性数据存储，其核心优势在于70ns的快速访问时间和并行接口，支持处理器直接、高效地读取存储内容，非常适用于需要直接从闪存执行代码的应用场景。

该芯片设计用于宽电压（2.7V-3.6V）和工业级温度范围（-40°C至85°C）下工作，确保了在多变环境下的稳定性和可靠性。其70ns的字/页写周期时间进一步保障了数据更新的效率。作为一款经典的并行NOR闪存解决方案，它主要面向对启动速度、代码执行实时性及系统可靠性有较高要求的嵌入式控制系统、网络设备和工业电子领域。

• 制造商产品型号：M28W640HCB70N6F TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP
• 产品系列：存储器
• 包装：剪切带（CT）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：FLASH - NOR
• 存储容量：64Mb（4M x 16）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：70ns
• 访问时间：70ns
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
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