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MT36HTS51272Y-53EA2

美光(MICRON)图标
存储器 - 模块
制造厂商：美光(MICRON)
功能简述：MODULE DDR2 4GB 240FBDIMM
原厂封装：240-FBDIMM
优势价格，MT36HTS51272Y-53EA2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT36HTS51272Y-53EA2的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT36HTS51272Y-53EA2是美光科技推出的一款4GB容量DDR2 SDRAM全缓冲内存模组（FBDIMM）。该模组采用240针FBDIMM封装，核心运行速度为533MT/s，专为需要高内存带宽和大型数据工作负载的应用而设计。

其关键特性在于采用了全缓冲（FB）架构，通过集成的先进内存缓冲器（AMB）来提升信号完整性和系统可扩展性。这使得该模组尤其适用于多模组配置的高端服务器和工作站平台，能够有效支持大容量内存需求，同时确保数据传输的稳定性和可靠性。

  • Micron美光半导体完整型号: MT36HTS51272Y-53EA2
  • 制造商：Micron Technology（美光科技）
  • 功能总体简述: MODULE DDR2 4GB 240FBDIMM
  • 系列: -
  • 存储器类型: DDR2 SDRAM
  • 存储容量: 4GB
  • 速度: 533MT/s
  • 封装/外壳: 240-FBDIMM
  • 想获取MT36HTS51272Y-53EA2的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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