MT29E4T08CTHBBM5-3ES:B TR

MT29E4T08CTHBBM5-3ES:B TR是美光科技推出的一款大容量、高性能并行接口NAND闪存芯片。该器件提供高达4Tb（512G x 8）的存储容量，采用非易失性闪存技术，确保数据在断电后持久保存。

其核心优势在于333MHz的高速并联接口，能够实现出色的数据吞吐率，满足高速数据读写的应用需求。芯片工作电压范围为2.5V至3.6V，并支持0°C至70°C的工业温度范围，具备良好的环境适应性和系统设计灵活性，适用于要求严苛的存储解决方案。

• 制造商产品型号：MT29E4T08CTHBBM5-3ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 4TB PARALLEL 333MHZ
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：4Tb（512G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
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