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MICRON
EDFP112A3PF-JDTJ-F-R TR的图片

EDFP112A3PF-JDTJ-F-R TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 24GBIT PARALLEL 933MHZ
原厂封装:封装:-
优势价格,EDFP112A3PF-JDTJ-F-R TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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EDFP112A3PF-JDTJ-F-R TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

EDFP112A3PF-JDTJ-F-R TR是美光科技生产的一款24Gb容量、采用移动版LPDDR3技术的并行接口DRAM芯片。其核心卖点在于为移动和嵌入式应用提供了高带宽与大容量的内存解决方案,时钟频率可达933MHz,同时工作电压范围宽(1.14V~1.95V),有助于系统实现功耗优化。

该芯片采用192M x 128的存储结构,支持高速并联数据接口,能够有效满足数据密集型处理任务的需求。其工作温度范围覆盖-30°C至105°C,确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性,适用于要求高性能与高可靠性的各类电子设备。

  • 型号:EDFP112A3PF-JDTJ-F-R TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:-
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 24GBIT PARALLEL 933MHZ
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR3
  • 存储容量:24Gb
  • 存储器组织:192M x 128
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:933 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
  • 工作温度:-30°C ~ 105°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:-
  • 封装/外壳:-
  • 供应商器件封装:-
  • 想获取EDFP112A3PF-JDTJ-F-R TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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