MT36HTS51272FY-667A3E3

MT36HTS51272FY-667A3E3是美光科技生产的一款4GB容量DDR2 SDRAM全缓冲内存模块，采用240针FBDIMM封装。该模块的核心卖点在于其高密度存储与先进的FBDIMM架构，通过集成先进内存缓冲器（AMB），将并行信号转换为串行链路，显著提升了信号完整性、系统可扩展性和可靠性，尤其适用于多模块配置的服务器环境。

其数据传输速率达到667MT/s，提供高效的数据吞吐性能以满足企业级应用的带宽需求。同时，模块支持ECC错误校验与纠正功能，确保在严苛的连续工作负载下数据的完整性与系统稳定性。这款模块是企业级服务器、工作站以及需要大内存和高可靠性的关键计算设备的理想内存解决方案。

• Micron美光半导体完整型号: MT36HTS51272FY-667A3E3
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 功能总体简述: MODULE DDR2 4GB 240FBDIMM
• 系列: -
• 存储器类型: DDR2 SDRAM
• 存储容量: 4GB
• 速度: 667MT/s
• 封装/外壳: 240-FBDIMM
• 想获取MT36HTS51272FY-667A3E3的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料