MT29F4G16ABBEAH4:E TR是美光科技生产的一款4Gb容量NAND闪存芯片。它采用256M x 16位的存储结构，并通过并联接口实现数据传输，适合需要较高数据吞吐率的应用。
该芯片工作电压为1.7V~1.95V，采用63-VFBGA小型化封装，以卷带形式供货，便于表面贴装生产。其商业级工作温度范围（0°C~70°C）和稳定的非易失性存储特性，使其成为众多嵌入式系统和消费电子设备中可靠的代码与数据存储解决方案。
- 型号:MT29F4G16ABBEAH4:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:256M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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