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MICRON
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D的图片

MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC FLASH RAM 4GBIT PAR 533MHZ
原厂封装:封装:-
优势价格,MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D是美光科技推出的一款集成4Gb NAND Flash和4Gb LPDDR2 DRAM的混合存储器芯片。它采用并联接口,其DRAM部分运行时钟频率高达533MHz,能够提供高速的数据缓存能力,而NAND Flash部分则确保了大容量的非易失性数据存储。

该器件在单一的1.8V电压下工作,支持-25°C至85°C的工业级温度范围,具备良好的功耗表现和环境适应性。这种将两种存储器技术合二为一的设计,显著节省了PCB空间,简化了系统设计,非常适合需要兼顾大容量存储与高速数据处理的嵌入式应用。

  • 型号:MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:-
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH RAM 4GBIT PAR 533MHZ
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失性,易失性
  • 存储器格式:FLASH,RAM
  • 技术:FLASH - NAND,DRAM - LPDDR2
  • 存储容量:4Gb(NAND),4Gb(LPDDR2)
  • 存储器组织:256M x 16(NAND),128M x 32(LPDDR2)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:533 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.8V
  • 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:-
  • 封装/外壳:-
  • 供应商器件封装:-
  • 想获取MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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