EDB4432BBBJ-1D-F-R

EDB4432BBBJ-1D-F-R是美光科技推出的一款4Gb容量LPDDR2移动DRAM芯片，采用128M x 32的并行架构。该器件核心优势在于其低功耗特性，工作电压范围为1.14V至1.95V，并支持高达533MHz的时钟频率，在提供必要带宽的同时，有效优化了系统能效。

芯片采用134-WFBGA紧凑型封装，适用于表面贴装，工作温度范围为-30°C至85°C，确保了在空间受限及环境多变的移动和嵌入式应用中的可靠性。其主要为需要高性能、低功耗存储解决方案的便携式电子设备提供易失性内存支持。

• 型号:EDB4432BBBJ-1D-F-R
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:134-FBGA（10x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:128M x 32
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:134-WFBGA
• 供应商器件封装:134-FBGA（10x11.5）
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