MT41K2G4RKB-107:N是美光科技生产的一款8Gb容量、采用并联接口的DDR3L SDRAM芯片。该器件基于成熟的DDR3L技术，核心组织为2G x 4，在933MHz的时钟频率下可实现高达1866MT/s的数据传输速率，为系统提供充沛的内存带宽。
其核心优势在于高性能与低功耗的结合，工作电压低至1.35V（兼容1.283V~1.45V范围），显著降低了系统整体能耗。芯片采用78-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至95°C（TC），具备良好的环境适应性，适用于对能效和可靠性有较高要求的嵌入式及网络通信应用场景。
- 型号:MT41K2G4RKB-107:N
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（8x10.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:2G x 4
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:933 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（8x10.5）
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